3D NANDフラッシュ技術

3D NANDは、メモリーセルを垂直に配置することで高密度化を実現した次世代のフラッシュメモリー技術です。ストレージ容量の増大と大幅なコスト削減を可能にします。2D NANDと比較して低コスト、低消費電力であり、信頼性とデータ書き込み速度が向上しています。

FlashArray//mは、最新の3D NAND TLC技術を使用しており、同一のシステムでTLCおよびMLCフラッシュを組み合わせることで、大容量のストレージを低コストで提供します。

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