Флэш-память четырехуровневой ячейки (QLC) — это оптимизированная по емкости технология памяти NAND, при использовании которой стоимость одного терабайта не выше, чем при использовании жестких дисков (HDD). Как следует из названия, QLC хранит четыре бита на ячейку, имеет производительность NVMe и повышенную емкость.
Флэш-память QLC — новейшее достижение в длительном тренде записи большего количества битов на ячейку в устройствах с флэш-памятью NAND. Ниже вкратце описано, как развивалась эта технология с течением времени:
Как видим, количество возможных состояний согласно напряжению удваивается с каждым дополнительным битом, сохраненным в ячейке NAND. Существует неизбежный компромисс между емкостью и сложностью при увеличении количества битов в одной ячейке.
Чтобы справиться с возрастающей сложностью управления множественными состояниями напряжения при чтении/записи необходимо повышать электрическую точность. На практике это может привести к снижению производительности и долговечности устройства NAND.
Долговечность NAND измеряется в циклах программирования/стирания (P/E). Пока что производителям удается создавать флэш-память QLC с 1000 циклов P/E, что на порядки меньше, чем для флэш-памяти SLC (100 000 циклов P/E).
Но производительность и долговечность взаимосвязаны. Производительность флэш-накопителей по-прежнему на порядки выше, чем у HDD, и существуют способы обойти ограничения долговечности QLC (например, с помощью флэш-памяти SLC в качестве кэша). Эта же проблема замедлила внедрение памяти TLC, когда она впервые появилась, но со временем технология улучшилась, и сегодня большинство корпоративных массивов флэш-СХД обеспечивают высокую производительность, надежность и скорость за счет TLC NAND. С появлением флэш-памяти QLC теперь можно добиться скорости all-flash СХД при стоимости единицы емкости не выше стоимости массивов СХД на базе HDD.
Опробуйте инстанс Pure1® с самообслуживанием для управления Pure FlashBlade™, самого передового решения в отрасли, предоставляющего файловое хранилище и хранилище объектов с горизонтальным масштабированием.
Общие преимущества флэш-памяти QLC:
В Pure Storage® FlashArray//C не используются модули флэш-памяти SSD, в отличие от решений других поставщиков СХД. С помощью модулей DirectFlash® Pure исходная флэш-память может подключаться напрямую через NVMe, за счет чего снижается задержка и повышается пропускная способность. Благодаря этому FlashArray//C максимально повышает производительность своих модулей флэш-памяти QLC и вместе с тем обеспечивает стоимость единицы емкости, сравнимую со стоимостью гибридных массивов СХД и массивов на основе HDD.
Другие преимущества использования FlashArray//C для требований к СХД:
Производительность NVMe с самой низкой стоимостью и первым в отрасли all-QLC массивом СХД корпоративного класса