3D NAND 為下一代快閃記憶科技,亦即記憶體單位垂直堆疊,以增加容量 – 提供更高的儲存密集度,且每gigabyte成本更低。與 2D NAND 相比, 3D NAND 降低了成本、降低耗電量、增加可靠性,並提供了更高的資料寫入效能。

FlashArray//m 促成了最新的 3D NAND TLC 科技,並使顧客能將於同一系統中的 TLC 與 MLC 結合並配對,使密集度提升、成本降低。

 

3D NAND 快閃科技是什麼?

3D NAND 是次世代快閃記憶科技,亦即記憶體單位垂直堆疊,以增加容量—提供更高儲存密度,且每 GB 成本的更低。與 2D NAND 相比, 3D NAND 降低了成本與耗電量,提升可靠性,並提供更高的資料寫入效能。

FlashArray//m 運用最新的 3D NAND TLC 科技,讓客戶能將同一系統中的 TLC 與 MLC 快閃混合匹配,藉此提升密度,降低成本。