QLC(쿼드 레벨 셀) 플래시는 용량 최적화된 NAND 메모리 기술로 하드 디스크 드라이브(HDD)와 비슷하거나 더 합리적인 테라 바이트 당 비용을 제공합니다. 이름에서 알 수 있듯이 QLC는 셀당 4비트를 저장하여 더 큰 용량으로 NVMe 성능을 제공합니다.
QLC 플래시는NAND 플래시 장치에 셀당 더 많은 비트를 저장하는 최신 기술입니다. NAND 플래시 발전 과정은 다음과 같습니다:
이와 같이, NAND 셀 안에 저장되는 비트가 하나씩 늘어날 때마다 가능한 전압 상태의 수는 두 배가 됩니다. 하나의 셀 안에 들어갈 수 있는 비트의 수를 늘리면 용량 또는 복잡성이 희생됩니다.
읽기/쓰기 중에 여러 전압 상태를 관리하는 데 따르는 복잡성 때문에 더 높은 전기적 정밀도가 필요합니다. 실제로 이는 NAND 장치의 성능 저하와 수명 감소로 이어질 수 있습니다.
NAND의 내구성은 프로그램/삭제(P/E) 주기로 측정됩니다. 지금까지 제조업체들은 1,000P/E 주기의 QLC 플래시를 생산할 수 있었습니다. 이는 SLC 플래시로 가능한 100,000P/E 주기보다 훨씬 적은 값입니다.
하지만, 성능과 내구성은 상대적인 개념입니다. 플래시는 여전히 HDD보다 성능이 훨씬 더 뛰어나며 QLC의 내구성 문제를 해결하기 위한 방법도 존재합니다(예: SLC 플래시를 캐시로 사용) TLC가 처음 등장했을 때, 이와 같은 상충관계는 TLC의 도입을 늦췄습니다. 하지만 기술은 시간이 지남에 따라 발전했고, 결국 오늘날 대부분의 엔터프라이즈 플래시 스토리지 어레이는 TLC NAND를 통해 우수한 성능, 안정성 및 속도를 제공합니다. 그리고 QLC플래시의 등장으로, 이제는 HDD 스토리지 어레이와 비슷하거나 이를 능가하는 용량당 비용으로 올플래시 스토리지의 탁월한 속도를 활용할 수 있게 되었습니다.
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QLC 플래시의 장점은 다음과 같습니다:
퓨어스토리지의 플래시어레이//C(FlashArray//C)는 다른 스토리지 벤더들의 제품처럼 플래시 SSD 모듈을 사용하지 않습니다. 퓨어스토리지의 다이렉트플래시(DirectFlash®) 모듈 은 NVMe를 통해 원시 플래시를 직접 연결하여 레이턴시를 줄이고 처리량을 증가시킵니다. 이를 통해 플래시어레이//C(FlashArray//C)는 QLC 플래시 모듈의 성능을 극대화하는 동시에 하이브리드 및 HDD 스토리지 어레이에 필적하는 용량당 비용을 제공할 수 있습니다.
이 밖에도 플래시어레이//C(FlashArray//C)는 다음과 같은 이점을 제공합니다:
업계 최초의 올QLC 엔터프라이즈 스토리지 어레이를 통해 저렴한 비용으로 NVMe 성능 구현
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