四層單元(QLC)快閃是一種容量優化的 NAND 記憶體科技,每 TB 的成本不高於硬碟(HDD),甚至更低。顧名思義,QLC 每個單元可儲存四個位元,提供更高的容量來達成 NVMe 效能。
QLC 快閃是一種最新技術,能讓 NAND 快閃儲存設備中的每個單元增加更多容量。下列為此項科技隨著時間發展的概述:
由此可見,在 NAND 單元中儲存每多一個位元,可能的電壓狀態便會加倍。隨著每個單元中可儲存位元增加,必須在容量和複雜性之間作出取捨。
讀/寫期間管理多個電壓狀態時會增加複雜度,需要更精準的電力來加以解決此問題。實務上,這會導致 NAND 設備的效能和壽命下降。
NAND 的耐久性是以寫入/抹除(P/E)週期來測量。到目前為止,製造商已經能生產 1,000 個 P/E 週期的 QLC 快閃,比 100,000 P/E 週期的 SLC 閃存數量少了許多。
但效能和耐久性是相對的。快閃的效能仍然比硬碟高出數倍,而且有一些解決方法能處理 QLC 耐用性的限制(例如使用 SLC 快閃作為快取)。這種取捨也減緩了 TLC 的使用,但技術隨著時間獲得了改善,現在大多數企業級快閃儲存陣列都利用 TLC NAND 來提供極高的效能、可靠性和速度。隨著 QLC 快閃的問世,現在您可以享有全快閃儲存的速度,而每單位容量的成本卻與 HDD 儲存陣列難分軒輊。
體驗 Pure1® 的自助實例來管理 Pure FlashBlade™,Pure FlashBlade™ 是業界最先進的解決方案,可提供原生橫向擴展的檔案式及物件式儲存功能。
QLC 快閃記憶一般具備的優勢包括:
PureStorage® FlashArray//C 和其他儲存設備廠商不同,不使用快閃 SSD 模組。Pure 的 DirectFlash® 模組 可讓原始快閃記憶體透過 NVMe 直接連接,從而減少延遲並提高傳輸量。這能讓 FlashArray//C 的 QLC 快閃模塊的效能發揮到極致,同時每單元容量的成本仍可媲美混和式及 HDD儲存陣列。
針對儲存需求使用 FlashArray//C 還能帶來的其他優點:
借助業界首創的 全快閃 QLC 企業級儲存陣列,以較低成本達成高 NVMe 效能
如對Pure的產品或認證,有任何的疑問或建議,歡迎與我們聯繫!
預約現場示範,親眼看看 Pure 如何幫助您將資料轉化為強大的成果。
聯絡我們:886-2-3725-7989
Pure Storage總部
34F, Taipei Nanshan Plaza,
No. 100, Songren Road,
Xinyi District,
Taipei City 110016
Taiwan (R.O.C.)
800-379-7873 (一般資訊)