クアッドレベル・セル(QLC)フラッシュは、容量が最適化されたNAND型メモリテクノロジーを採用し、ハード・ディスク・ドライブ(HDD)と同等、もしくはそれ以上のテラバイト単価を提供します。その名称が示すとおり、QLCは1つのセルに4ビットを格納し、大容量のNVMeパフォーマンスを実現します。
QLC フラッシュは、NAND 型フラッシュ・デバイス内で 1 つのセルに格納できるビット数を多くしようとする長年の傾向の最新型です。テクノロジーの進化の概要:
このように、1つのNAND型のセルに格納できるビット数が1つ増えるごとに、電荷量が2倍になります。1つのセルに格納可能なビット数が増えるとき、容量と複雑さの間には常にトレードオフが存在します。
読み取り/書き込み時に、複数の電荷量を制御することで複雑さが増すため、より優れた電力精度が必要です。実際には、NAND型デバイスの性能や寿命の低下につながる場合があります。
NANDの耐久性については、プログラム/消去(P/E)サイクルで計算できます。これまで、メーカー各社はP/Eサイクル数が1,000のQLCフラッシュを生産してきましたが、SLCフラッシュ(P/Eサイクル数が100,000)で可能なことを下回ります。
ただし、性能と耐久性には相関関係があります。フラッシュはそれでもHDDよりはるかに高性能で、QLCの耐久限度に対処する回避策があります(例:SLCフラッシュをキャッシュとして使用)。TLCの発売当初にも同様のトレードオフが導入速度を鈍らせたものの、技術の進歩に伴い、今ではほとんどのエンタープライズ・フラッシュ・ストレージ・アレイがTLC NANDで高性能、高信頼性、高速性を実現しています。QLCフラッシュの出現とともに、HDDストレージ・アレイと同等、もしくはそれ以上の容量当たりのコストで、オール・フラッシュ・ストレージの速度を達成できるようになりました。
Pure1®のセルフサービス・インスタンスによるFlashBlade™の管理を通じて、ネイティブなスケールアウトが可能なファイル/オブジェクト・ストレージの先進的機能をお試しいただけます。
QLCフラッシュ・メモリの一般的なメリット:
Pure Storage®のFlashArray//Cは、他のストレージ・ベンダーと同様、フラッシュSSDモジュールを使用していません。ピュア・ストレージの DirectFlash® モジュール により、ロー・フラッシュは NVMe 経由で直接接続できるようになるため、遅延を低減し、スループットを向上させます。これにより、FlashArray//CはQLCフラッシュ・モジュールの性能を最大化すると同時に、ハイブリッド・アレイおよびHDDストレージ・アレイに匹敵する容量当たりのコストを実現します。
ストレージの各種ニーズに対して FlashArray//C を使用するその他のメリット:
業界初の オールQLCエンタープライズ・ストレージ・アレイで、NVMeパフォーマンスを低コストで実現