Una unidad de estado sólido (SSD) de celda multinivel (MLC), también llamada celda de doble nivel (DLC), es una celda de memoria que puede almacenar más de un bit de información, a diferencia de una celda de un solo nivel (SLC), que puede almacenar solo un bit por celda de memoria.
MLC se refiere a celdas que pueden almacenar dos bits de información, a diferencia de las celdas de triple nivel (TLC) y las celdas de cuatro niveles (QLC), que pueden almacenar respectivamente tres y cuatro bits de información por celda.
La principal ventaja de la memoria flash MLC es su menor coste por unidad de almacenamiento gracias a la mayor densidad de datos. Debido a que la memoria flash MLC SSD generalmente cuesta menos que una SLC, es la memoria de almacenamiento de estado sólido preferida por los fabricantes de dispositivos electrónicos de consumo.
Por lo general, a medida que aumenta el recuento de 'niveles', disminuye el rendimiento (es decir, la velocidad y la fiabilidad). Esto se debe a que se requiere más potencia de procesamiento para leer más información y también más precisión porque cuantos más bits de información hay para leer, menor es el margen de error. Como tal, una MLC normalmente tiene una tasa de error de bits mayor que una SLC.
Otros inconvenientes de las SSD MLC, en comparación con las SSD SLC, son las velocidades de escritura más bajas, el menor número de ciclos de programa/borrado y el mayor consumo de energía. Las velocidades de lectura también pueden ser más bajas para MLC NAND que para SLC, ya que tienen que leer los mismos datos a un segundo umbral de tensión para ayudar a resolver los errores.
Cada celda de memoria tiene un cierto número de posibles "estados" que corresponden a la presencia o ausencia de electrones en la trampa de carga del microchip. Cada estado está representado por unos y ceros según el nivel de tensión en la trampa. Una SLC tiene dos posibles estados de tensión (0 y 1) para almacenar un bit por celda.
Las SSD MLC, dado que almacenan dos bits por celda, tienen cuatro posibles combinaciones 0/1 (00, 01, 10 y 11) de cuatro posibles estados de tensión. Una TLC, que almacena tres bits de información en cada celda, es posible gracias a las trampas de carga con ocho niveles de electrones potenciales diferentes que dan como resultado ocho voltajes de umbral correspondientes posibles diferentes. Una QLC puede almacenar cuatro bits de datos usando 16 estados y así sucesivamente.
Los SSD MLC generalmente se consideran menos fiables que las SSD SLC porque los datos se escriben en el flash NAND con más frecuencia que con una SLC, lo que abre la puerta a más posibles errores. Sin embargo, esto puede no ser necesariamente cierto en la práctica. Un estudio de seis años de la Universidad de Toronto y Google llegó a la conclusión de que las SSD SLC y MLC fallaron aproximadamente al mismo ritmo, a pesar de que las MLC tienen una durabilidad de escritura significativamente menor.
El estudio también encontró que:
Es una pregunta común que los clientes harán al adquirir sus SSD. Las MLC son SSD que almacenan 2 bits por celda.
Algunas de los más populares son:
En resumen, almacenar más bits por celda se ha traducido tradicionalmente en una compensación entre fiabilidad y capacidad. Al almacenar dos bits de datos por celda, las SSD MLC ofrecen clasificaciones de capacidad y fiabilidad que en el mercado las sitúan entre las celdas SLC y las celdas TLC. A medida que avanza la tecnología, esta brecha de fiabilidad entre las celdas MLC y SLC se ha reducido significativamente donde la antigüedad de la celda es un factor más determinante. Por esta razón, es importante comprender las calificaciones de rendimiento, fiabilidad y capacidad de una solución de almacenamiento de datos en conjunto antes de tomar una decisión al comprar almacenamiento.
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