Pure Storage® DirectFlash® 是創新的快閃管理解決方案,包含 Purity 軟體與 DirectFlash 模組,兩者皆能獨立升級,不中斷升級。
以下是運作方式、不同之處,以及您需要的原因。
Toshiba 於 1980 年發明的快閃記憶體,又稱為快閃記憶體儲存,是一種非揮發性記憶體(意即不需要連續電源),可以電子方式清除與重新程式化。
快閃式記憶體有兩種主要類型:NOR 和 NAND,依使用的邏輯閘類型,在電路層級上有所不同。目前,NAND 快閃記憶體佔快閃記憶體市場的 95% 以上,且幾乎在所有非嵌入式快閃記憶體設備中使用。
在 NAND 類別中,記憶體有各種類型,根據每個記憶體單元儲存的位元數進行分類,包括:
DirectFlash 是 Pure Storage 設計的快閃模組,可讓全快閃陣列直接與原始快閃儲存通訊。Pure Storage 全面性的全快閃系統建置方法包括運用原始快閃來打造 DirectFlash 模組,而不需仰賴購買商品固態硬碟(SSD)。如此一來,我們就能從其他固態陣列廠商獲得供應鏈中不同點的快閃記憶體。但 DirectFlash 的優勢不僅止於更好的供應鏈經濟效益。
其他使用商用現成 SSD 的全快閃或混合陣列,與傳統硬碟的通訊方式基本上相同,就像是一組連續的相同區塊。
傳統硬碟有磁道和磁區,而所有磁區都端對端配置,就是您取得一份長區塊清單的方式。SSD 透過在系統與快閃之間整合複雜的系統,稱為快閃轉譯層(FTL),複製相同的幾何形狀。
DirectFlash 使用不同的方法直接與快閃記憶體進行溝通,進而最大化快閃記憶體的功能,並提供更佳的效能、電力利用率和效率。
具體而言,DirectFlash 提供:
了解 DirectFlash 模組如何提高效率:高效率的 IT 基礎設施節省的不僅止於能源成本
SSD 由 NAND 快閃晶片組成,也稱為 NAND 快閃晶粒,每個晶粒都被分解為較小的元件,稱為區塊,由頁面組成。
然而,快閃區塊並不支援隨機覆寫。一旦頁面被寫入資料,在寫入新資料之前,必須清除整個區塊。同時,每部 SSD 都是為了支援向下相容的磁碟磁區介面而打造。
解決這種矛盾之處在於韌體中稱為 "flash translation layer" 或 FTL 的韌體,該韌體採用虛擬磁碟區介面,可讓您將資料寫入不同的快閃頁面,而不論資料使用的邏輯區塊為何。FTL 會在自己的記憶體和中繼資料儲存中追蹤所有這些映射中繼資料。
但由於您現在正在將新版本的資料寫入不同的快閃頁面中,最終您累積的資料會被視為垃圾,因為資料已被覆寫或邏輯刪除。
為了恢復此實體容量,硬碟韌體中的「垃圾收集器」流程會將仍然有效的資料移至新的位置,以便清除包含「整合」資料的整個區塊。為了讓垃圾收集器運作,每部硬碟都需要額外的快閃記憶體,也就是所謂的“預留空間”,而每一場垃圾收集事件都會消耗有限的快閃程式/清除週期。每個邏輯寫入消耗的實體寫入量稱為“寫入放大”。
過度配置和寫入放大會導致 SSD 過早磨損,縮短使用壽命。這樣的設計也會對效能造成影響,因為每當其中一個快閃晶粒進行垃圾收集、讀取或寫入時,都無法從該晶粒取得。因此,隨著垃圾收集器變得越來越活躍,SSD 的效能勢不可擋。
SSD 無法將這個垃圾收集活動傳達給存取系統,讓這個活動更具挑戰性。相反地,SSD 必須保持假想,它就像硬碟一樣。隨著 NAND 快閃記憶體中每個單元的位元數增加,這些效能不一致的情況只會變得更糟,因為程式/清除週期需要較長的時間,導致資料存取時間更長。
DirectFlash 採用不同的快閃媒體管理方法。Purity 作業系統在軟體陣列層級執行這些功能,而不只是將每部 SSD 視為執行自身耗損平衡技術、垃圾收集與超額配置。這表示每個 DirectFlash 模組都比傳統的固態磁碟更簡單,因為它只需要提供媒體本身的存取權限,並處理低階資料和訊號任務。
深入了解 DirectFlash 如何為硬碟(HDD)帶來終端。
這帶來了許多好處:
這表示,與其他以 SSD 為設計基礎的全快閃或混合系統相比,系統效能更高、更一致、可靠性更高、壽命更高。
Pure Storage 的成立理念是資料中心的未來全快閃,而我們建立了 DirectFlash 技術,讓願景成真。我們相信,打造全快閃系統的最佳方式,就是從頭開始打造全快閃系統。這意味著要消除以傳統介面和範例為設計基礎的系統零件,讓技術真正閃耀。
想要在您的資料中心運用 DirectFlash 技術嗎? 立即查看我們的全快閃儲存解決方案套件。